2001 Oct 12 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage double diode BAV199
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=
25
°C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on a FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
?
900
mV
IF
=
10
mA
?
1000
mV
IF
=
50
mA
?
1100
mV
IF
=
150
mA
?
1250
mV
IR
reverse current
see
Fig.5
VR
=
75
V
0.003
5
nA
VR
=
75
V; Tj
=
150
°C
3
80
nA
Cd
diode capacitance
f
=
1
MHz; VR
=
0; see
Fig.6
2
?
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to
IR
=
10
mA; RL
=
100
?;
measured at IR
=
1
mA; see
Fig.7
0.8
3
μs
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-tp
thermal resistance from junction to tie-point
360
K/W
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
500
K/W
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